プレスリリース
2008
当社におけるＳｉＣ半導体開発状況
- ○ＳｉＣダイオードの高耐圧化に成功。
- ［耐電圧：6.2kV、電流容量：5A級、動作可能温度：250℃］
- （平成11年1月28日 お知らせ済み）
- ○ＳｉＣダイオードのさらなる高耐圧化に成功。
- ［耐電圧：12.3kV、電流容量：1A級、動作可能温度：250℃］
- （平成12年2月21日 お知らせ済み）
- ○ＳｉＣスイッチング素子の低損失高耐圧化に成功。
- ［耐電圧：4.5kV、電流容量：0.5Ａ級、動作可能温度：200℃］
- （平成13年1月15日 お知らせ済み）
- ○ＳｉＣダイオードのモジュール化による大電流化、耐高温化に成功。
- ［耐電圧：3〜5kV、電流容量：200〜600Ａ級、動作可能温度：350℃］
- （平成14年5月23日 お知らせ済み）
- 〇ＳｉＣ製4kVA級3相インバータの開発と系統連系に成功。
- （平成15年6月11日 お知らせ済み）
- 〇ＳｉＣ製12kVA級3相インバータの開発と系統連系に成功
- （平成16年3月4日 お知らせ済み）
- 〇４００℃に耐える高耐熱樹脂を開発
- 〜ＳｉＣインバータ大容量化の道を開く〜
- （平成17年4月26日 お知らせ済み）
- 〇ＳｉＣ製高耐圧インバータの開発について
- 〜SiC素子を用いた100kVA級3相インバータの開発に成功〜
- （平成18年1月25日 お知らせ済み）
- 〇世界初の３倍過負荷に耐える１００ｋＶＡ級SiCインバータの開発について
- （今回発表）
