プレスリリース

2002

2002年5月23日

世界初の電力用高温高速ＳｉＣダイオードモジュールの開発について

１．各社の概要
　◇株式会社日立製作所
　 設立
：
 １９２０年
　 資本金
：
 ２８１，７５４百万円
　 代表者
：
 庄山　悦彦
　 本社
：
 東京都千代田区神田駿河台４-６
　 事業内容
：
 総合電気機器の開発・製造

　◇株式会社クリー社（Cree,Inc.）
　 設立
：
 １９８７年
　 資本金
：
 ９１，０００ドル
　 代表者
：
 Charles M. Swoboda (President & CEO)
　 本社
：
 4600 Silicon Drive Durham,NC27703 USA
　 事業内容
：
 炭化シリコン(SiC)系、窒化ガリウム(GaN)系およびその関連化合物の半導体材料とデバイスの開発・製造

２．これまでの開発状況
　○ＳｉＣダイオードの高耐圧化に成功。
　　　［耐圧：６．２ｋＶ、電流容量：５Ａ級、動作可能温度：２５０℃］
（平成１１年１月２８日　お知らせ済み）
　○ＳｉＣダイオードのさらなる高耐圧化に成功。
　　　［耐圧：１２．３ｋＶ、電流容量：１Ａ級、動作可能温度：２５０℃］
（平成１２年２月２１日　お知らせ済み）
　○ＳｉＣスイッチングトランジスタの高耐圧化に成功。
　　　［耐圧：４．５ｋＶ、電流容量：0.5Ａ級、動作可能温度：２００℃］
（平成１３年１月１５日　お知らせ済み）
　　　
　●ＳｉＣダイオードのモジュール化による大電流化、耐高温化に成功。
　　　［耐圧：３～５ＫＶ、電流容量：２００～６００Ａ、動作可能温度：３５０℃］
（今回の発表内容）
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