プレスリリース
2002
2002年5月23日
世界初の電力用高温高速SiCダイオードモジュールの開発について
1.各社の概要
◇株式会社日立製作所
◇株式会社クリー社(Cree,Inc.)
2.これまでの開発状況
◇株式会社日立製作所
設立 |
: |
1920年 | |
資本金 |
: |
281,754百万円 | |
代表者 |
: |
庄山 悦彦 | |
本社 |
: |
東京都千代田区神田駿河台4-6 | |
事業内容 |
: |
総合電気機器の開発・製造 |
◇株式会社クリー社(Cree,Inc.)
設立 |
: |
1987年 | |
資本金 |
: |
91,000ドル | |
代表者 |
: |
Charles M. Swoboda (President & CEO) | |
本社 |
: |
4600 Silicon Drive Durham,NC27703 USA | |
事業内容 |
: |
炭化シリコン(SiC)系、窒化ガリウム(GaN)系およびその関連化合物の半導体材料とデバイスの開発・製造 |
2.これまでの開発状況
○SiCダイオードの高耐圧化に成功。 |
[耐圧:6.2kV、電流容量:5A級、動作可能温度:250℃] |
(平成11年1月28日 お知らせ済み) |
○SiCダイオードのさらなる高耐圧化に成功。 |
[耐圧:12.3kV、電流容量:1A級、動作可能温度:250℃] |
(平成12年2月21日 お知らせ済み) |
○SiCスイッチングトランジスタの高耐圧化に成功。 |
[耐圧:4.5kV、電流容量:0.5A級、動作可能温度:200℃] |
(平成13年1月15日 お知らせ済み) |
●SiCダイオードのモジュール化による大電流化、耐高温化に成功。 |
[耐圧:3~5KV、電流容量:200~600A、動作可能温度:350℃] |
(今回の発表内容) |