プレスリリース
2000
2000年2月21日
世界初の超低損失１２．３ｋＶ-ＳｉＣダイオードを開発
現在、あらゆる分野で電力を制御するためにシリコン（Ｓｉ）パワー半導体素子が使われています。
しかし、Ｓｉ材料には、
- 電気的に、電力変換に伴う損失が大きく、耐圧が低い（高電圧下で素子結晶が壊れやすい）
- 物理的に、高温で動作できない。
そこで近年、Ｓｉ材料よりも遥かに優れた物理的・電気的な性能をもつシリコンカーバイド（ＳｉＣ）が注目され、活発な開発競争が展開されてきましたが、結晶の品質が低く、製作加工プロセスや半導体素子の設計技術が未熟なことから、損失と耐圧や温度の問題をクリアするには至りませんでした。
このような状況の中で、昨年、当社とＣＲＥＥ社は、ＳｉＣウェーハの結晶欠陥の低減とエピタキシャル膜の高品質化、高信頼接合終端技術の開発により、ＳｉＣでは初めて６．２ｋＶの最高耐圧の実現に成功しました。
（平成１１年１月２８日 お知らせ済み）
その後も、ＢＴＢ等の系統間連系装置やＳＶＧ等の系統安定化装置といった大電力交直変換装置に適用するために、更なる高耐圧化と高性能化の研究・開発に取り組んできました。
| 当社設備では、系統間連係装置としてＢＴＢは導入していないが、類似のものとして、現在建設中の阿南紀北直流幹線（平成１２年７月運開予定）に連係する変換装置（直流→交流）を導入中。 同線の直流送電用バルブでは、光サイリスタを利用しており、大きさが縦横各６ｍ、高さ１１ｍの電力変換装置を６台使用する。 |
以 上
