プレスリリース
2003
2003年6月11日
ＳｉＣ（シリコンカーバイト）製４ｋＶＡ級３相インバータの開発について
当社はこの度、素子にＳｉＣ（シリコンカーバイト）を用いた4kVA級３相インバータを開発し、電力線への連系接続に成功しました。ＳｉＣインバータの実際の電力線への連系接続は、世界で初めてのことです。
インバータとは、電気の交流・直流を変換したり、周波数の変換を行なう機器で、エアコンや各種モーターの制御用に広く用いられている他、燃料電池や風力発電機を電力線に連系接続するためにも欠かせない装置です。
インバータの材料としては従来、Ｓｉ（シリコン）製のパワー半導体（※１）が用いられてきましたが、当社では平成９年から、Ｓｉに比べて耐電圧性能が高く、高温に耐え、電力損失が少ないＳｉＣパワー半導体の開発に取り組んできた結果、今回、全てのパワー半導体部分にＳｉＣを用いたインバータの実験機開発に成功し、４ｋＶＡの出力電力を確認しました。これはＳｉＣインバータでは、世界最大の電力容量です。
| （※１） | 電流のオン・オフや電流の方向等を制御する半導体の中でも、耐電圧12Ｖ 以上で電流容量が0.1Ａ以上のものをパワー半導体と呼ぶ。パワーが大きい ことから、電力制御機器等に使用されている。 |
将来、このＳｉＣインバータが実用化され、従来のＳｉインバータに置き換われば、電力の損失を半分以下（ＳｉＣ：約１．４％、Ｓｉ：約３．５％）に抑えられることから、産業界全体の省エネが実現できます。当社では今後、電力系統関連設備はもとより、産業用モーターや燃料電池等の分散型電源、新幹線、リニアモーターカーなど様々な用途に適用できるよう、ＳｉＣインバータの大容量化をすすめ、平成１８年頃を目途に、数百ｋＶＡ級の汎用インバータとして、実用化を目指してまいります。
なお今回開発したＳｉＣインバータの特長は次のとおりです。
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以 上
＜参考資料＞
